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巨磁電阻效應實驗儀型號;HAD-FFD-MRS-A
更新時間:2019-03-11
產品型號:HAD-FFD-MRS-A
描述:巨磁電阻效應實驗儀型號;HAD-FFD-MRS-A

由磁場引起材料電阻變化的現象稱為磁電阻效應。 目前發現的磁電阻效應有:正常磁電阻效應( OMR )、各向異性磁電阻效應( AMR )、巨磁電阻效應( GMR )、龐磁電阻效應( CMR )及隧穿磁電阻效應( TMR )等。

HAD-FFD-MRS-A巨磁電阻效應實驗儀型號;HAD-FFD-MRS-A的詳細資料:

巨磁電阻效應實驗儀型號;HAD-FFD-MRS-A

由磁場引起材料電阻變化的現象稱為磁電阻效應。 目前發現的磁電阻效應有:正常磁電阻效應( OMR )、各向異性磁電阻效應( AMR )、巨磁電阻效應( GMR )、龐磁電阻效應( CMR )及隧穿磁電阻效應( TMR )等。

巨磁電阻效應實驗儀型號;HAD-FFD-MRS-A

  本儀器提供三種磁電阻傳感器,分別為多層膜巨磁電阻傳感器 、自旋閥巨磁電阻傳感器、各向異性磁電阻傳感器。 幫助學生了解不同磁電阻效應的原理及應用,儀器安可靠,實驗內容豐富。 可用于校、中的基礎物理實驗、近代物理實驗及綜合性性物理實驗。

  應用本儀器可成以下實驗:

  1 .了解不同磁電阻效應原理,測量不同磁場下三種材料磁電阻阻值 RB ,作 RB/R0-B 關系圖,求電阻相對變化率(RB-R0)/R0 的大值;

  2. 學習磁電阻傳感器定標方法,計算三種磁電阻傳感器靈敏度;

  3 . 測量三種磁電阻傳感器輸出 電壓V輸出與通電導線電 I 的關系;

  4 .作自旋閥巨磁電阻傳感器磁滯回線。

  儀器主要參數:

  1 .多層膜巨磁電阻傳感器 線性范圍 0.15mT - 1.05mT   靈敏度 30.0mV/V/mT - 42.0mV/V/mT

    自旋閥巨磁電阻傳感器 線性范圍 -0.81mT - 0.87mT   靈敏度 13.0mV/V/mT - 16.0mV/V/mT

    各向異性磁電阻傳感器 線性范圍 -0.6mT - 0.6mT   靈敏度 8.0mV/V/mT - 12.0mV/V/mT

  2 .亥姆霍茲線圈 單只線圈匝數 N= 200 匝,半徑 10 cm

  3 .亥姆霍茲線圈用恒源 輸出電 0 - 1.2A 連續可調

  4 .測量用恒源 輸出電 0 - 5A 連續可調 

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